淨零碳排新趨勢 加速半導體功率元件Layout設計與驗證
Wed, Aug 03
|南港IC設計育成中心@R1018(南港軟體園區二期H棟)
透過Siemens EDA的Tanner L-edit不僅能克服元件多樣化、參數不連續及幾何形狀複雜的問題。同時可藉由Calibre及相關DRC驗證技術,確保準確的設計驗證,降低光罩錯誤成本,縮短產品上市時程。
時間 & 地點
Aug 03, 2022, 2:00 PM
南港IC設計育成中心@R1018(南港軟體園區二期H棟), 10F., No. 3-2, Yuanqu St, Nangang District, Taipei City, Taiwan 115
活動簡介
節能減碳已成為國際間最受關注的課題,相關的新興產業如電動車、HPC、充電樁等,都需要高轉換效率的新型半導體,如化合物半導體、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等,其具備耐高溫、耐大電壓、低導通電阻等特性,可廣泛應用於高功率、高頻和高溫電力電子系統。
和傳統晶片比較,新型半導體元件具有更複雜的元件類型和參數,大電流和大電壓的特性下,可靠度的要求相較於過去的矽基半導體元件有更高的要求。透過Siemens EDA的Tanner L-edit不僅能克服元件多樣化、參數不連續及幾何形狀複雜的問題。同時可藉由Calibre及相關DRC驗證技術,確保準確的設計驗證,降低光罩錯誤成本,縮短產品上市時程。
活動單位:恩萊特科技股份有限公司 – Siemens EDA授權代理商
活動對象
- 新創中小型IC設計
- IoT物聯網相關開發
- MEMS微機電設計開發
- Power Devices電源設計開發
- 被動元件Mask設計開發
活動特色
- 從技術與應用的角度分享設計挑戰與注意要點
- 介紹並示範L-Edit平台針對半導體功率元件Layout所提出的高效設計流程
- 講師現場Live Demo,並可現場申請試用授權;學員可提供實際案例,現場技術交流
議程資訊
14:00 – 14:30 報到
14:30 – 15:10
• Tanner - 最易入手的電源管理 & Analog IC設計與Calibre平台
• Demo
15:10 – 15:20 Coffee/tea break
15:20 – 16:20
• 功率元件(GaN/SiC/MOSFET/IGBT) 的Layout設計挑戰與解決方案
• Demo
16:20 – 16:30
• Q&A
• L-Edit & Calibre one 試用授權申請
活動講師:Vincent Lai, Applications Engineer Consultant, Siemens EDA
報名須知
- 本活動名額有限,主辦單位保留報名資格之最後審核,將以主題及屬性符合者為優先考量。為加速審核,敬請使用公司電子信箱報名。
- 通過審核者,系統將於活動前3天以電子郵件方式寄發報到連結您的電子信箱,以示您的出席資格。
- 若因不可預測之突發因素,主辦單位得保留研討會課程、地點及講師之變更權利。