5G、電動車、智慧物聯網等終端應用市場需求持續看漲，推升第三代半導體 (GaN/SiC) 功率元件及功率半導體 (MOSFET/IGBT) 等的技術及市場的成長。合適的 EDA 工具就成了這些新技術的研發與設計導入過程中的重要助力。

本次線上研討會邀請 Siemens EDA 原廠技術顧問，介紹如何使用 Tanner L-Edit 快速完成 Layout 及使用 Calibre 驗證 Design Rule Check (DRC)，掌握第三代半導體技術關鍵搶佔市場先機！

影片章節

• 00:00 Introduction to Wide Bandgap Semiconductors

• 02:02 Power Discrete Design & Challenges

• 05:06 Introduction to L-Edit

• 11:35 Demo - Polar Array

• 13:09 Drawing Wires

• 14:24 Demo - RDL

• 17:06 Demo - Curve Tools

• 19:09 Demo - Derived Layer

• 21:36 Demo - Boolean

• 23:36 Parametrized Layout in L-Edit

• 24:31 Demo - T-Cell Builder

• 27:30 Multiple Formats Import/Export

• 28:13 Demo - Reconstruct

• 30:18 Node Highlighting

• 31:29 Wafer Tools

• 32:22 Physical Verification

• 33:40 Demo - DRC & Rule-Aware

• 38:20 Calibre Integration: Addressing Curve DRC Challenges

• 39:25 Demo - Calibre eqDRC

• 42:07 Demo - Calibre RealTime

• 44:21 Introduction to MEMS Pro - 3D Modeler Based on Layout Design

• 44:48 Materials / Process Steps

• 45:17 Cross-Section

• 45:44 Demo - Filter 3D Modeler based on Layout Design

• 47:24 Summary