1. 新南威爾斯大學 UNSW SOI 製程平台

• 製程技術與平台特性

• Silicon 材料基本特性

• 埋藏氧化層與Handle Wafer 說明

• 設計區域與尺寸規範

2. 製程層定義與設計規則

• 層的定義：蝕刻深度分類與輔助層

• 波導類型：條形波導、脊形波導與淺蝕刻應用

• 通用設計規則

• 各蝕刻層的具體設計規範

3. PDK 元件庫

• 固定元件 Fixed-cell 介紹

• 可參數化元件 P-cell 介紹

• 部分元件的特性數據

4. 元件的有效應用與設計流程

• 設計流程：從功能定義到晶片製造

• 設計驗證工具應用：pSim Plus、PhotoCAD、Advanced SDL、pVerify DRC