後佈局模擬跑出來的結果和矽晶圓上的行為對不上——這不是偶發問題，而是寄生元件沒有精確萃取的必然代價。尤其進入 16nm 以下製程，FinFET 元件內部的源極汲極電阻、多重圖案化層的對準偏差、加上 BEOL 互連線密度爆炸性成長，傳統萃取工具根本無力兼顧精確度與 TAT。 Siemens EDA 的 Calibre xACT™ 寄生元件萃取解決方案，正是針對這些先進製程節點挑戰所設計的新世代工具。這份技術規格文件介紹 Calibre xACT 平台的核心能力、架構設計，以及為什麼它能讓設計工程師對效能目標在矽晶圓上完整實現充滿信心。 1. FinFET 先進製程節點萃取：飛法拉級精確度，不漏任何耦合效應 進入先進節點，光靠元件模型已不足夠——佈局相依效應必須由萃取工具承擔。Calibre xACT 針對 FEOL 與 BEOL 幾何結構自動選擇最佳萃取技術組合，並與 Calibre nmLVS 整合確保邊界不重複計算、不遺漏。 內建快速三維場求解器 ：即時計算 FinFET 參數，無需預先特性化的固定版圖配置，精確度顯著優於競爭工具的預特性化方案

By Dilan Heredia and Karen Chow Designing integrated circuits (ICs) for the 3 nm process node poses challenges never seen before. One of...