114學年度富邦人壽UBA大專籃球聯賽女一級預賽圓滿落幕，國立清華大學女子籃球隊在重返一級的首個賽季展現強大韌性，最終以第七名作收。（圖／國立清華大學女子籃球隊提供） 114學年度富邦人壽UBA大專籃球聯賽女一級預賽圓滿落幕，國立清華大學女子籃球隊在重返一級的首個賽季展現強大韌性，最終以第七名作收，成功達成保級目標。新竹在地企業恩萊特科技本季特別投入資源贊助，以實際行動支持在地學子挑戰大專籃球最高殿堂，展現企業對校園體育與人才培育的重視。 企業後盾：目標鎖定六強 對於本季的表現與外界支持，清華大學女籃總教練謝文偉表示：「本學年度賽事因為有校友及恩萊特公司贊助，讓學生在準備比賽無後顧之憂，加上補給及傷害防護完備，學生能夠健康完成比賽，也獲得清華女籃在大專公開一級歷年最佳成績。」 響應全人教育：恩萊特科技支持學生多元發展 恩萊特科技長期關注人才培育，已陸續贊助多所大專院校業界標準 EDA 設計平台與教學資源，致力於縮短學用落差，協助學術研究接軌國際。恩萊特科技表示，此次從學術研究延伸至體育競技，在於響應校園全人教育的精神，期許透過支持校園體育，鼓勵學

在日益數位化的世界中，電子系統的安全性和可靠性已不再是選項，而是核心要務。無論是現代汽車中的電路系統、維持生命的醫療設備，還是複雜的工業自動化系統，對於健全功能安全方法論的需求比以往更加迫切。 功能安全的多層次挑戰 邁向 ISO 26262 功能安全認證的過程並不簡單。工程師與組織必須應對系統性故障，源自設計與開發過程與隨機故障，發生在系統實際運作中。隨著產業必須跟上創新的步伐，挑戰與法規環境也隨之演變，包括人工智慧的導入、多晶粒與異質架構的趨勢，以及向軟體定義汽車的轉型。 傳統的驗證方法雖然在過去時代表現穩健，但往往已無法滿足當今高度複雜、互連且具備自動化系統的需求。近期的數據令人警惕，顯示僅有 14% 的矽晶開發專案能成功達成一次完成矽晶設計（ first-pass success ）。 同時，為了能按時且在預算內交付矽晶片所需勞動力缺口也正日益擴大。 總結來說：團隊需要更聰明、更快速且更整合的前端驗證方法，才能交付無錯誤、無缺陷且安全可靠的矽晶片。本篇文章接下來將介紹全新 Questa One 功能安全解決方案的關鍵面向，以及能協助您的

國立中山大學工學院院長郭紹偉（左起）、西門子EDA協理鍾順桐、恩萊特科技股份有限公司業務總監門杰、西門子EDA通路經理莊明峰。 國立中山大學／提供 國立中山大學工學院日前於1月19日與西門子 EDA及恩萊特科技共同舉行「微奈米積體電路設計EDA軟體平臺合作儀式」，導入涵蓋類比、數位與混合訊號晶片設計的業界標準設計平台。為中山大學師生建立一個與全球半導體生態系同步的平台，強化在半導體、IC設計及光電科技等重點發展領域的實戰能力與人才培育目標。 國立中山大學工學院院長郭紹偉表示，我們高度重視學生實作經驗與產業能力的養成。此次透過與西門子 EDA 及恩萊特科技的合作，得以為本院師生建構與國際半導體產業體系接軌的設計與驗證環境，讓學生在紮實的理論基礎上，實際操作業界採用的工具，落實「做中學、學中用」的理念。此次合作也將進一步厚植南台灣半導體與科技產業鏈所需的專業人力，為南部半導體S 廊帶的長遠發展奠定人才基礎。 西門子 EDA 台灣暨東南亞區副總裁兼總經理林棨璇指出，台灣是全球半導體的核心樞紐，要維持領先優勢，人才培育需具備生態系思維。西門子 EDA..

三個國家、多場客戶簡報與海報展示，傳達出一個明確的核心要點：隸屬於 Solido 模擬套件的西門子 Symphony，正致力於解決業界最艱巨的混合訊號驗證挑戰。 在我們全球舉辦的西門子 EDA 論壇與 CIC 論壇中，能親自見證客戶如何運用 Solido 客製化 IC 技術來解決不斷演進的驗證挑戰，是一件非常令人振奮的事。與客戶面對面交流具有其獨特價值，而過去幾個月的全球論壇，具體展現了 Symphony 發揮影響力的廣泛應用領域。 我對於客戶利用 Symphony 混合訊號技術所展現的創新方式印象特別深刻，他們藉此精準驗證跨類比/數位介面的設計功能、連通性與效能，並在各式 IC 應用中應對複雜的驗證挑戰。 請繼續閱讀以探索這些客戶成功案例！ Toppan（日本）：CMOS 影像感測器驗證速度提升 50% 這趟旅程的第一站：日本！在西門子 EDA 論壇上，於印刷、通訊、安全與包裝領域領先的整合解決方案供應商 Toppan ，展示了 Symphony 如何翻轉其複雜 CMOS 影像感測器 IC 的驗證工作流程。該設計整合了一個微控制器以及多個類比區

By Patrick Hope Valor NPI 2510 版本的發佈帶來了更多檢查項目、更優異的製造感知以及令人驚艷的視覺強化功能，展現出產品系列重大的演進。Valor NPI 的 3D 檢視功能經過重新設計，使探索可製造性設計結果變得直觀且精確。 3D 檢視器 3D 檢視器將從根本上改變多項 DFM 審核的執行方式。雖然大部分檢查仍會在標準 2D 環境中進行，但全新的 3D 檢視器可提供沉浸式且直觀的檢查體驗，並將迅速成為作業常態。3D 檢視器讓使用者能直接在 3D 空間中測量距離，釐清嵌入式元件的層別配置，並有助於替代元件的視覺化呈現。 圖 1：Valor NPI 的 3D 分析視圖，顯示元件遮蔽量測，這在進行感興趣區域檢查時，可能會遮蔽元件的焊墊足跡。 強化後的 3D 環境現在也能在特定的配置層上顯示嵌入式元件與軟板區域零件。這種分層視覺化能忠實呈現軟硬結合板的設計，進而提升團隊間的整體理解與溝通效率。 替代 VPL 封裝與製造商相容性審查 透過 Valor Parts Library料號比對與 3D 視覺化，替代零件的管理已變得更加簡

恩萊特科技總經理蘇正宇（左）與超級馬拉松國手朱宏仁合影。恩萊特科技透過實際行動支持優秀運動員，並邀請朱宏仁教練親臨公司，分享亞錦賽的心路歷程與堅毅奮鬥的運動家精神 。 恩萊特科技／提供 恩萊特科技近日邀請其贊助的現役超級馬拉松跑者「小朱教練」朱宏仁，於公司內部舉辦「小人物大冒險：從 100 公里賽場看職場賽道」分享會。朱宏仁教練剛於去 （2025） 年 11 月代表台灣赴泰國參加「2025 IAU 100K 亞洲錦標賽」，並勇奪亞洲第7名 。分享會中，他不僅剖析長距離競賽的佈局，更以國手視角，將賽道上的配速策略與心智磨練，轉化為職場中的長跑哲學。 十年磨一劍：從傳產業務到超馬國手 小朱教練在會中透露，自己曾是體重達80多公斤、時常應酬的傳產業務 。於2013年因健康檢查滿江紅才開始跑步，經過10年的累積，近年成績突飛猛進，於2025年正式入選國家隊 。他強調，無論是超馬還是職場升遷，機會往往留給持續產出、被驗證能力的人；他笑稱，這10年來的每一步都在累積資格，讓自己在機會來臨時能成為非選不可的人選 。 團隊與資源：恩萊特科技助力實現夢想...

如果您曾看著您的模擬完美通過，卻在實驗室中看到您的矽晶片失效，您就能體會到看不見的設計問題所帶來的真正挫敗感。隨著晶片製造邁向最先進的製程節點—例如7奈米、5奈米及更小的節點—寄生效應，像是電阻、電容和電感，不再只是微不足道的附註。它們已成為效能與可靠性的主要障礙。而最危險的威脅往往隱藏在網表單獨無法觸及的地方。 在下文中，我們將探討進階視覺化技術—像是熱圖、基於層次的分析以及實體到電氣的映射—如何協助IC團隊發現、理解並修復設計中這些隱藏的敵人。無論您是現有的Calibre xACT或Calibre xRC使用者，尋求提升您的除錯能力，或者您正在研究下一代工作流程，現在是時候擺脫憑藉經驗的猜測，為您的矽晶片帶來清晰的洞察。 隱藏的寄生效應：現代晶片中的無聲破壞者 寄生效應並非源於您在電路圖上設計的內容，而是來自於設計如何被佈局和製造。金屬層的繞線、堆疊，甚至彼此間的鄰近性，都會在您的晶片中產生不必要的電阻、電容和電感。隨著設計縮小且複雜度提高—特別是在高速、高密度和3D結構中—這些寄生效應會呈現指數級增長。 為什麼這點很重要？在5奈米製程節點，

恩萊特科技參與 OPTIC 2025，持續深化產學界互動。圖為中華民國光電學會副秘書長許晉瑋（右），與恩萊特科技業務總監門杰（左）針對矽光子設計平台發展趨勢進行交流。 隨著矽光子技術成為 AI 與高速運算的關鍵解方，如何從實驗室研發順利跨越到晶圓廠量產，成為產業關注焦點。恩萊特科技日前參與台灣光電領域年度盛會「OPTIC 2025」，現場展出合作夥伴之光半導體（Latitude Design Systems）的「PIC Studio」光電整合設計平台，為台灣產學研界提供一套能精準對接國際大廠製程、加速產品上市的設計解決方案。 聚焦量產痛點　PIC Studio 實現元件到系統無縫整合 過去矽光子開發流程中，常面臨工具分散、格式不相容的挑戰，恩萊特科技此次展出的PIC Studio 核心優勢在於建立統一的設計流程。該平台成功將元件設計、光路繪製、佈局以及光電系統級模擬整合在單一環境中。此外，該平台可直接支援 Tower Semiconductor、SilTerra 等全球主要晶圓代工廠製程設計套件（PDK）。透過在設計階段即導入精準的製程參數與封裝

降低驅動電壓的矽光子調變解方 三元內容定址記憶體（Ternary content addressable memory, TCAM）廣泛用於網路封包查找與相似度比對等低延遲應用。電子式 TCAM 難以突破數 GHz 操作頻寬，限制其於高通量網路運作的效能。光子式 TCAM 則可在光學域內高速處理資料，具潛力克服電子限制。 裝置設計：異質整合高遷移率 MOS 電容 本研究提出一種整合氧化銦鈦（Indium Titanium Oxide, ITiO）/二氧化鉿（HfO₂）/矽的金氧半導體電容（Metal-oxide-semiconductor capacitor, MOSCAP）式矽光環調變器。設計中採用 300 nm 寬波導，以提升電光轉換效率，並兼顧品質因子（Q-factor）控制。 裝置製作流程包含在預製矽光環上沉積 10 nm HfO₂ 絕緣層，與 14 nm ITiO 閘極層，並以 Ni/Au 建立歐姆接觸。所製元件在 -1.9 V 偏壓與 0.8 Vpp 擺幅下，達成 6 dB 消光比與 3 dB 插入損耗。 頻寬與傳輸效能實測...